Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2019UTS-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.3 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
0.78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2019UTS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.3 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation0.78 W
КорпусTSSOP8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance31 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.8nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.