Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2016UTS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
5.73A
Pulsed drain current
36A
Power dissipation
0.88W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2016UTS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current5.73A
Pulsed drain current36A
Power dissipation0.88W
КорпусTSSOP8
Gate-source voltage±8V
On-state resistance16.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.