DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN2015UFDF-7
U-DFN2020-6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 9.3 A
- Pulsed drain current
- 70 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN2015UFDF-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 9.3 A |
| Pulsed drain current | 70 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | U-DFN2020-6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 50 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 42.3nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.