Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2011UFDE-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
11.4A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
1.27W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2011UFDE-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current11.4A
Pulsed drain current80A
Power dissipation1.27W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance35mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W

Документация

Документы пока не предоставлены.