Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2009USS-13

DMN2009USS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
9.7 A
Pulsed drain current
100 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2009USS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current9.7 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.