Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2008LFU-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
11.5A
Pulsed drain current
75A
Power dissipation
1.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2008LFU-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current11.5A
Pulsed drain current75A
Power dissipation1.7W
КорпусU-DFN2030-6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance9.6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.5A; Idm: 75A; 1.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.