DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2005UFG-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 14 A
Pulsed drain current: 130 A
Power dissipation: 2.27 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMN2005UFG-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	14 A
Pulsed drain current	130 A
Power dissipation	2.27 W
Корпус	PowerDI3333-8
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	8.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	164nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W

Документация

Документы пока не предоставлены.