Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2005UFG-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
130 A
Power dissipation
1.05 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2005UFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current40 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation1.05 W
КорпусPowerDI®3333-8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance8.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W

Документация

Документы пока не предоставлены.