Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN13H750S-13

DMN13H750S-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
130 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
3.3 A
Power dissipation
1.26 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN13H750S-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage130 V
Drain current1 A
Pulsed drain current3.3 A
Power dissipation1.26 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.