Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN1150UFL3-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12 V
Drain current
1.6 A
Power dissipation
0.9 W
Корпус
X2-DFN1310-6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN1150UFL3-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12 V
Drain current1.6 A
Power dissipation0.9 W
КорпусX2-DFN1310-6
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.4nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6

Документация

Документы пока не предоставлены.