Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN1150UFB-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12 V
Drain current
1.15 A
Pulsed drain current
7 A
Power dissipation
0.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN1150UFB-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12 V
Drain current1.15 A
Pulsed drain current7 A
Power dissipation0.3 W
КорпусX1-DFN1006-3
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW

Документация

Документы пока не предоставлены.