Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H700S-7

DMN10H700S-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.56 A
Pulsed drain current
2.5 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H700S-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.56 A
Pulsed drain current2.5 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.56A; Idm: 2.5A; 0.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.