Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H700S-13

DMN10H700S-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.56 A
Pulsed drain current
2.5 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN10H700S-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.56 A
Pulsed drain current2.5 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 560mA; Idm: 2.5A; 500mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.