Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.79 A
Pulsed drain current
6.6 A
Рассеиваемая мощность
1.07 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H220LVT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.79 A
Pulsed drain current6.6 A
Рассеиваемая мощность1.07 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W

Документация

Документы пока не предоставлены.