DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN10H220LFDF-7
U-DFN2020-6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 1.7 A
- Pulsed drain current
- 8.8 A
- Power dissipation
- 1 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN10H220LFDF-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 1.7 A |
| Pulsed drain current | 8.8 A |
| Power dissipation | 1 W |
| Корпус | U-DFN2020-6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.29 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 6.7nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.