Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H220L-13

DMN10H220L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.3 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H220L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.3 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность0.8 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.