Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.3 A
Рассеиваемая мощность
1.2 W
Корпус
TSOT26
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SVTQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.3 A
Рассеиваемая мощность1.2 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; 1.2W; TSOT26

Документация

Документ производителя