Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.1A
Pulsed drain current
11.2A
Power dissipation
1.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SVT-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2.1A
Pulsed drain current11.2A
Power dissipation1.7W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.1A; Idm: 11.2A; 1.7W; TSOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.