Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SFGQ-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.9 A
Power dissipation
2 W
Корпус
PowerDI®3333-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SFGQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.9 A
Power dissipation2 W
КорпусPowerDI®3333-8
On-state resistance0.133 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.9A; 2W; PowerDI®3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.