Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SFG-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3 A
Pulsed drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3 A
Pulsed drain current16 A
Рассеиваемая мощность1.3 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.133 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.9nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 16A; 1.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.