Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SFDE-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
1.31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SFDE-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation1.31 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W

Документация

Документы пока не предоставлены.