Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H170SFDE-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
U-DFN2020-6
On-state resistance
0.16 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H170SFDE-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусU-DFN2020-6
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.7nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2W; U-DFN2020-6

Документация

Документы пока не предоставлены.