Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H120SFG-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4.2 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H120SFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4.2 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1.5 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.122 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.