Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN10H099SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current13 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation22 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.