Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN1025UFDB-7

DMN1025UFDB-7
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12V
Drain current
5.5A
Pulsed drain current
35A
Power dissipation
1.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN1025UFDB-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12V
Drain current5.5A
Pulsed drain current35A
Power dissipation1.7W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±10V
On-state resistance38mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.