Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12 V
Drain current
10.1 A
Pulsed drain current
70 A
Power dissipation
1.11 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN1019UVT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12 V
Drain current10.1 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation1.11 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50.4nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.