Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN1008UFDFQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12 V
Drain current
9.8 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN1008UFDFQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12 V
Drain current9.8 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance12.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6

Документация

Документы пока не предоставлены.