DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN1004UFV-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 12 V
- Drain current
- 55 A
- Power dissipation
- 0.9 W
- Корпус
- PowerDI®3333-8
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 66 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%219,63 ₽
Сумма · с НДС 22%219,63 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 219,63 ₽ | |
| от 5 | 162,60 ₽ | |
| от 10 | 141,41 ₽ | |
| от 50 | 103,07 ₽ | |
| от 100 | 90,16 ₽ | |
| от 500 | 67,62 ₽ | |
| от 1000 | 60,30 ₽ | |
| от 2000 | 54,14 ₽ | |
| от 4000 | 48,93 ₽ | |
| от 6000 | 46,24 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN1004UFV-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 12 V |
| Drain current | 55 A |
| Power dissipation | 0.9 W |
| Корпус | PowerDI®3333-8 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 5.1 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.