Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13
Type of transistor
N/P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40/-40 V
Drain current
3.5/-2.9 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMHC4035LSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40/-40 V
Drain current3.5/-2.9 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance58/100 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5/11.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8

Документация

Документ производителя