Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
6.1/-4.3 A
Pulsed drain current
60...-30 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMHC3025LSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current6.1/-4.3 A
Pulsed drain current60...-30 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40/80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.7/11.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.1/-4.3A; Idm: 60÷-30A

Документация

Документы пока не предоставлены.