DIODES INCORPORATED
Транзистор DMHC3025LSD-13
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Kind of transistor
- complementary pair
- Drain-source voltage
- 30/-30 V
- Drain current
- 6/-4.2 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 111 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%271,14 ₽
Сумма · с НДС 22%271,14 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 271,14 ₽ | |
| от 5 | 213,25 ₽ | |
| от 10 | 183,39 ₽ | |
| от 25 | 148,76 ₽ | |
| от 50 | 128,61 ₽ | |
| от 100 | 113,77 ₽ | |
| от 250 | 100,03 ₽ | |
| от 500 | 92,88 ₽ | |
| от 1000 | 87,94 ₽ | |
| от 2500 | 83,72 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMHC3025LSD-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Drain-source voltage | 30/-30 V |
| Drain current | 6/-4.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 25/50 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 11.7/11.4nC |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.