DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG9933USD-13

DMG9933USD-13

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -3 A
Pulsed drain current: -20 A
Power dissipation: 1.15 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMG9933USD-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-3 A
Pulsed drain current	-20 A
Power dissipation	1.15 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.11 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	6.5nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.