DIODES INCORPORATED
Транзистор DMG6968UDM-7
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 5.2 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.85 W
- Корпус
- SOT26
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 56 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%159,32 ₽
Сумма · с НДС 22%159,32 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 159,32 ₽ | |
| от 5 | 118,09 ₽ | |
| от 10 | 100,09 ₽ | |
| от 25 | 81,16 ₽ | |
| от 50 | 70,48 ₽ | |
| от 100 | 62,79 ₽ | |
| от 500 | 51,73 ₽ | |
| от 1000 | 48,92 ₽ | |
| от 3000 | 46,30 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMG6968UDM-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 5.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.85 W |
| Корпус | SOT26 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 24 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | common drain |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.