Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
7.1 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
1.28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG6898LSD-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current7.1 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation1.28 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 30A; 1.28W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.