Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG6602SVTX-7

DMG6602SVTX-7
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
2.7/-2.4 A
Pulsed drain current
25...-20 A
Power dissipation
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG6602SVTX-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current2.7/-2.4 A
Pulsed drain current25...-20 A
Power dissipation0.8 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance100/140 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13/9nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A

Документация

Документы пока не предоставлены.