Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
2.8/-3.4 A
Рассеиваемая мощность
1.112 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 582 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%95,66 ₽

Сумма · с НДС 22%95,66 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 195,66 ₽
от 1058,66 ₽
от 5043,68 ₽
от 10038,62 ₽
от 50029,06 ₽
от 100025,63 ₽
от 150023,82 ₽
от 300020,76 ₽
от 600018,41 ₽
от 900016,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG6602SVT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current2.8/-3.4 A
Рассеиваемая мощность1.112 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.06/0.095 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V

Документация

Документ производителя