Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
3/-2 A
Power dissipation
0.54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG6601LVT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current3/-2 A
Power dissipation0.54 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.065/0.142 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V

Документация

Документ производителя