DIODES INCORPORATED
Транзистор DMG6402LVT-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 5 A
- Power dissipation
- 1.1 W
- Корпус
- TSOT26
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%99,15 ₽
Сумма · с НДС 22%99,15 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 99,15 ₽ | |
| от 5 | 79,70 ₽ | |
| от 10 | 68,07 ₽ | |
| от 25 | 53,01 ₽ | |
| от 50 | 43,66 ₽ | |
| от 100 | 36,42 ₽ | |
| от 500 | 26,31 ₽ | |
| от 1000 | 23,83 ₽ | |
| от 3000 | 21,16 ₽ | |
| от 9000 | 19,64 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMG6402LVT-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 5 A |
| Power dissipation | 1.1 W |
| Корпус | TSOT26 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 42 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.