DIODES INCORPORATED
Транзистор DMG6302UDW-7
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -25 V
- Drain current
- -120 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.38 W
- Корпус
- SOT363
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMG6302UDW-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -25 V |
| Drain current | -120 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.38 W |
| Корпус | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 13 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 340pC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.