DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG5802LFX-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24 V
Drain current: 5.2 A
Pulsed drain current: 70 A
Power dissipation: 0.98 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMG5802LFX-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	24 V
Drain current	5.2 A
Pulsed drain current	70 A
Power dissipation	0.98 W
Корпус	W-DFN5020-6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	20 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	31.3nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 5.2A; Idm: 70A; 980mW

Документация

Документы пока не предоставлены.