Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6.6 A
Pulsed drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
1.42 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDMG4822SSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6.6 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность1.42 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance32.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.