Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4800LSDQ-13

DMG4800LSDQ-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8.4 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG4800LSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8.4 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8

Документация

Документ производителя