Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8.4 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 143 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%180,33 ₽

Сумма · с НДС 22%180,33 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1180,33 ₽
от 5149,53 ₽
от 10130,55 ₽
от 5088,48 ₽
от 10074,95 ₽
от 50054,48 ₽
от 100048,28 ₽
от 250042,64 ₽
от 500039,82 ₽
от 750038,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG4800LSD-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8.4 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8

Документация

Документ производителя