Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
1.42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 430 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%129,08 ₽

Сумма · с НДС 22%129,08 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1129,08 ₽
от 1079,76 ₽
от 3062,04 ₽
от 5055,49 ₽
от 10048,55 ₽
от 50036,80 ₽
от 100033,52 ₽
от 250030,25 ₽
от 500028,51 ₽
от 750027,74 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG4496SSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1.42 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance29 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.