Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-17 A
Pulsed drain current
-45 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG4413LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-17 A
Pulsed drain current-45 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.