Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-10 A
Pulsed drain current
-80 A
Power dissipation
1.82 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG4407SSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-10 A
Pulsed drain current-80 A
Power dissipation1.82 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.