Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3N60SCT

DMG3N60SCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
3.7 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG3N60SCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current2 A
Pulsed drain current3.7 A
Power dissipation42 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.7 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12.6C
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.