Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3418L-13

DMG3418L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.1 A
Pulsed drain current
15 A
Power dissipation
0.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG3418L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.1 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation0.9 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.