Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3415UFY4Q-7

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-16 V
Drain current
-2.2 A
Pulsed drain current
-12 A
Power dissipation
1.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG3415UFY4Q-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-16 V
Drain current-2.2 A
Pulsed drain current-12 A
Power dissipation1.35 W
КорпусX2-DFN2015-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W

Документация

Документы пока не предоставлены.