Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3413L-7

DMG3413L-7
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.9 A
Pulsed drain current
-20 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG3413L-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.9 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation1.3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.